Trojrozměrné operační paměti DRAM společnosti Micron mění letitou základní strukturu modulů. První vzorky zamířily k producentům superpočítačů a síťových prvků. Technologie spočívá v navrstvení volatilních paměťových plátků na sebe. Novinka nese název Hybrid Memory Cube.
Vrstvy pamětí jsou propojeny technologií Vertical Interconnect Access I/O (VIA) s vícejádrovým procesorem, jenž figuruje na každém modulu. Technologie VIA představuje metodu propojení křemíkových nosičů ve vertikálním směru. Každá z paměťových vrstev má kapacitu až 2 GB.
První paměťové moduly HMC nabídnou 2 nebo 4 GB prostoru. Jejich oboustranná datová propustnost se pohybuje kolem 160 GB/s. Tím výrazně překonává současný standard DDR3, jenž nabízí 11 GB/s. Výkonnostně ovšem převyšuje i standard DDR4, který pracuje s rychlostí 20 až 24 GB/s.
Přenosové parametry technologie HMC se mění podle toho, kolik spojů výrobce v systému nastaví. Vestavěný procesor zvládne obsluhovat až čtyři podobné linky v sériovém zapojení/zpracování. Liší se i přenosová rychlost vlákna, která variuje od 10 do 15 Gb/s. Podle informací výrobce má nová technologie i výrazně nižší spotřebu energie na jeden bit, konkrétně o 70 procent.
Trojrozměrné operační paměti prozatím zamíří do datově náročných oblastí. Výhledově se ale začnou využívat i v mobilních zařízeních.
Za vývojem trojrozměrných pamětí DRAM stojí organizace Hybrid Memory Cube Consortium. Aktuálně pracuje již na druhé specifikaci, kterou zveřejní v polovině příštího roku. Členy konsorcia jsou společnosti Altera, ARM, IBM, Micron, Open Silicon, Samsung, SK hynix a Xilinx. Právě IBM bude paměti pro Micron vyrábět.
