O nás     Inzerce     KontaktSpolehlivé informace o IT již od roku 2011
Hledat
Nepřehlédněte: Tip: Pozoruhodné IT produkty pro rok 2022
Správa dokumentů
Digitální transformace
Informační systémy
Hlavní rubriky: Informační systémy, Mobilní technologie, Datová centra, Sítě, IT bezpečnost, Software, Hardware, Zkušenosti a názory, Speciály

Pozoruhodné IT produkty 2021
E-knihy o IT zdarma

Odborné IT konference BusinessIT
Manuál Linux

Samsung zahájí komerční výrobu 3nanometrových čipů

V nadcházejících týdnech zahájí společnost Samsung masovou výrobu 3nanometrových čipů. Jihokorejská firma pro tento technologický postup nebo jazykem polovodičového průmyslu produkční či procesní uzel sází na tranzistory typu gate-all-aroung.

Společnost Samsung se chce profilovat jako lídr v oblasti výrobních technologií pro polovodiče. Za tímto účelem se společnost snaží zahájit komerční výrobu 3nanometrových čipů ještě před začátkem letošního léta. Původně plánovala, že zahájí masovou výrobu na procesním uzlu 3GAE někdy v první polovině roku 2022. Uzel druhé generace by dle původních plánů následoval v roce 2023. Tento týden ale společnost investorům sdělila, že je na dobré cestě zahájit sériovou výrobu v nadcházejících týdnech.

Pokud bude slib dodržen, stane se jihokorejský elektrotechnický gigant první dodavatelem polovodičů, který dosáhne této úrovně miniaturizace.  Jeho 3nanometrový jako první rovněž využije tranzistory GAAFET – Gate-All-Around Field-Efect Transistors. Společnost Samsung označuje svou implementaci 3nanometrových tranzistorů GAAFET termínem Multi-Bridge-Channel Field-Effect Transistors ve zkratce MBCFET.

Společnost Saumsung prezentuje řadu výhod nového procesu oproti 7nm FinFET. MBCFET může pracovat při napětí nižším než 0,75 voltu. To umožňuje snížit spotřebu energie až o 50 procent, zvýšit výkon o 30 procent a zmenšit plochu čipu až o 45 procent. Hustota obvodu může být nakonec stejná jako u konkurenčních procesů Intel 4 a TSMC 5N, ale díky širším kanálům a nižšímu svodovému proudu by mohla být výkonnější.

Největší neznámou představuje výtěžnost, což byl hlavní problém 4nm procesního uzlu Samsungu, který přiměl společnosti jako Qualcomm přejít u budoucích čipů k TSMC.

Ostatní producenti polovodičů, jako jsou již zmíněné firmy Intel a TSMC, se také chystají v příštích letech přijmout GAAFET. Tento přechod by pro ně mohl být zatím nejnákladnějším krokem posledních let. Společnost Samsung tvrdí, že kompatibilita technologie MBCFET s výrobními procesy a zařízeními FinFET nejen urychlila vývoj, ale také udržela náklady na uzdě.


(1. 5. 2022 | L_Kriz)

Facebook Twitter
Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<
©2011-2022 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | Používáme účetní program Money S3 | pg(11171)