Masovou produkci vícevrstvých čipů NAND ohlásila společnost Samsung. Tzv. vertikální paměti neboli V-NAND v blízké budoucnosti nahradí tradiční dvourozměrnou podobu. Finální média mají nabídnout kapacity 128 GB a 1 TB.
Podle informací Samsungu nabídnou trojrozměrné paměťové čipy NAND dvakrát až desetkrát vyšší spolehlivost a zdvojnásobí rovněž přenosové rychlosti. Výrobní technologie využívá rozměrové spektrum 10 až 19 nanometrů. Čipy budou využity ve všech typech produktů, v nichž dnes figurují tradiční NAND. Mimo jiné znásobí kapacity disků SSD.
Paměti V-NAND mají hustotu 128 bitů na jeden čip, tím se tedy neodlišují od stávajících dvourozměrných typů. Rozdíl je v rozměrech a v celkové hustotě bitů na plochu. Rozhodně nelze čipy označit za „tlusté“. Vícevrstevná struktura využívá technologii 3D Charge Trap Flash. Samsung je díky ní schopen navrstvit na sebe až 24 >>pater<<. Do budoucna firma počítá s 32.
Trojrozměrná technologie sice posouvá limity NAND, ale není neomezená. Analytici společnosti Forward Insights předpokládají, že hranic svých možností 3D proces dosáhne ještě na konci tohoto desetiletí. Dost možná nepůjde o technologická omezení ale finanční. Od určitého počtu vrstev přestane být výroba ekonomicky zajímavá.
Čipům NAND v současnosti konkurují technologie RRAM – Resistive Random Access Memory, Racetrack Memory, Graphene Memory a Phase-Change Memory. Ty ovšem do sériové výroby mají ještě daleko.
