O nás     Inzerce     KontaktSpolehlivé informace o IT již od roku 2011
Hledat
Nepřehlédněte: Nejlepší IT: Pozoruhodné IT produkty pro rok 2024 podruhé
Správa dokumentů
Digitální transformace
Informační systémy
Hlavní rubriky: Informační systémy, Mobilní technologie, Datová centra, Sítě, IT bezpečnost, Software, Hardware, Zkušenosti a názory, Speciály

Pozoruhodné IT produkty 2024 podruhé
E-knihy o IT zdarma
Manuál Linux

Intel a Micron v případě technologie 3D Xpoint hovoří o revoluci

Výrobu nového typu nevolatilních pamětí s názvem 3D XPoint spustily společnosti Intel a Micron. Oproti současným technologiím NAND nabízejí výrazně vyšší hustotu paměťových bodů, nové materiály, vyšší rychlost i odolnost.

Podle mínění zástupců firem Intel a Micron jde o první novou kategorii počítačových pamětí od představení NAND flash v roce 1989. Pravděpodobně však mají na mysli nevolatilní typy, tj. ky, které udrží obsah i bez přístupu k elektrickému proudu. Oproti současným NAND má 3D Xpoint nabídnout až tisíckrát vyšší rychlost přenosu a odolnost, tj. počet cyklů.

Technologie 3D XPoint je výsledkem desetiletého výzkumu a vývoje. Byla navržena tak, aby uspokojila poptávku pro nevolatilní, výkonné, odolné a vysokokapacitní paměti za dostupnou cenu. Jde o novou třídu nevolatilní paměti, jež významně snižuje latence a umožňuje uložení podstatně vyšších datových objemů v blízkosti procesoru, tvrdí výrobci.

Architektura křížových bodů bez tranzistorů vytváří trojrozměrnou šachovnici, na níž jsou paměťové buňky situovány do průsečíku řádků, což umožňuje individuální přístup k jednotlivým buňkám. V důsledku toho lze data zapisovat i číst v malých objemech, což vede k rychlejšímu a efektivnějšímu procesu zápisu a čtení.

Další detaily týkající se technologie 3D XPoint:

Křížová struktura relé – Vertikální vodiče spojují 128 miliard hustě poskládaných paměťových buněk. Každá paměťová buňka uchovává jednu část dat. Tato kompaktní struktura má za výsledek vysoký výkon a hustotu.

Vrstvení – Vedle úzké struktury relé jsou paměťové buňky vrstveny v několika vrstvách. Původní technologie ukládá 128 GB na čip ve dvou vrstvách. Budoucí generace této technologie mohou zvýšit počet paměťových vrstev nad tradiční litografické škálování a tím dál zlepšit systémové funkce.

Selektor – Přístup a následné čtení a zápis k paměťovým buňkám probíhá podle proměnlivého napětí odeslaného na každý selektor. Díky tomu není potřeba tranzistorů, zvyšuje se kapacita a snižují náklady.

Rychle přepínané buňky – Díky malé velikosti buněk, rychle přepínaným selektorům, nízko-latenčnímu křížovému relé a rychlému algoritmu zápisu dokáže buňka přepínat stavy rychleji než kterákoli jiná dnešní technologie nevolatilní paměti.


(31. 7. 2015 | Lukas_Kriz)

Facebook Twitter
Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<
©2011-2024 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | Používáme účetní program Money S3 | pg(3396)