Masovou produkci nevolatilních paměťových čipů Nano-RAM ohlásila společnost Fujitsu Semiconductors. Novinka, která byla představena v minulém roce, využívá technologii uhlíkových nanotrubiček a výkonově údajně tisíckrát překonává současné generace DRAM, přičemž, na rozdíl od DRAM, dokáže udržet obsah po přerušení napájení podobně jako NAND flash.
Společnost Fujitsu Semiconductors plánuje vývoj paměťových modulů, které využijí standardní rozhraní DDR4. Nejprve, do konce roku 2018, se zaměří na vestavěné paměti, které přizpůsobí požadavkům velkoodběratelů. Posléze začne nabízet moduly pro velkoobchodní prodejce, kteří je uvedou na trh pod vlastními značkami. Výhodou technologie NRAM představují údajně poloviční náklady na výrobu ve srovnání s DRAM.
Podle informací společnosti Nantero, která vynalezla technologii NRAM, experimentuje s novými typy paměti sedm výrobců polovodičů, resp. sedm továren. Jejich jména nebyla zveřejněna, ale i oni se chystají na zahájení masové výroby. Minimálně jeden z nich připravuje čipy NRAM pro moduly DIMM, které budou kompatibilní s rozhraním DDR4.
Fujitsu předpokládá, že výchozí výrobní technologie bude pracovat v 55nanometrovém rozměru. V podstatě tato hodnota indikuje velikost tranzistorů. Použitý rozměr umožní modulům uchovávat pouze megabajty dat. Proto první generace zamíří do specifických zařízení, u nichž sehrají specifickou úlohu, která nebude limitována rozměrem a kapacitou. Následující generace budou vyráběny 40nanometrovým výrobním procesem, což uplatnění modulů na trhu značně rozšíří. Prvním trhem se stanou datová centra a servery. Velmi rychle se však NRAM přemístí a rozšíří i do osobních počítačů a mobilních zařízení. Technologie totiž nabízí velmi nízkou spotřebu energie a nevyžaduje operace čištění dat na pozadí. Tím se odlišuje od stávajících typů pamětí využívaných v mobilních zařízeních.
Jeden z potenciálních výrobců údajně připravuje i 28nanometrovou výrobu. Otázkou je, zdali svou produkci uvede na trh dříve než Fujitsu. Společnost Nantero navíc připravuje trojrozměrnou architekturu NRAM se čtyřmi až osmi vrstvami buněk.
