Vzorky třetí generace svých magnetorezistivních pamětí MRAM začala dodávat vybraným zákazníkům společnost Everspin. Podle jejího vyjádření novinka nabízí dosud nejvyšší hustotu záznamu v subsegmentu, konkrétně 256 Mb. Moduly lze připojit k rozhraním pro paměti DDR3 a DDR4.
Své nevolatilní paměti MRAM označuje firma Everspin od roku 2012 termínem Spin-Torque MRAM, ve zkratce ST-MRAM. Považuje je za reálnou náhradu typu DRAM v serverech a úložných polích, především ale v jejich vyrovnávacích pamětích. Samotná technologie magnetickorezistivních pamětí je vyvíjena od 90. let minulého století. Podobně jako jiné technologie nabízí typ MRAM schopnost udržet obsah čipu i po přerušení dodávky elektrického proudu do systému.
Před čtyřmi lety firma Everspin zahájila komerční prodej svých čipů ST-MRAM. Vykazovaly zhruba 500krát vyšší přenosové rychlosti než NAND flash, ale dokázaly uchovat pouze 64megabitů dat na čip. I přesto firma dodala do datových center na 60 milionů modulů v různých variantách.
Za označením spin-torque se skrývá metoda změny bitové hodnoty buňky s pomocí malého napětí. Oproti běžným modulům MRAM, které natáčí spin procházejících elektronů zleva doprava, ST-MRAM jej směrují nahoru a dolů. Inovativní přístup umožňuje výrazně zvýšit záznamovou hustotu paměti a současně snížit energetickou náročnost. Podle výrobce jde ve srovnání s běžnými typy MRAM o 40 až 50procentní úsporu.
Čipy ST-MRAM nabízejí údajně desettisíckrát rychlejší přenosy dat než současné moduly NAND flash. I díky této schopnosti a čerstvě navýšené hustotě záznamu, která komplikovala jejich nasazení v předchozích letech, mají ambici nahradit čipy DRAM, případně SRAM ve vyrovnávacích pamětích. Rychlost zápisu ST-MRAM je údajně srovnatelná s dnešními typy DRAM.
V současnosti dodávané vzorky mají kapacitu 256 Mb na čip. Ještě letos chce společnost Everspin nabídnout zákazníkům produkci s výchozí úložnou hodnotou jeden gigabit. Ta má využívat proprietární technologii kolmého magnetického tunelového přechodu (Perpendicular Magnetic Tunnel Junction).
