Své portfolio pamětí typu DDR5 rozšířila společnost Samsung Electronics o modul s kapacitou 512 GB, který pracuje s technologií HKMG – High-K Metal Gate. Ta je tradičně nasazována v logických obvodech, ale nyní nachází uplatnění i v operačních pamětích.
Nové paměti DDR5 nabídnou ve srovnání s generací DDR4 zhruba dvojnásobné přenosové rychlosti, konkrétně 7200 Mb/s. Zamíří nejprve do vysoce náročných systémů, které zpracovávají úlohy umělé inteligence, strojového učení anebo analýzy dat.
Zmenšování struktur v modulech DRAM mimo jiné také vede ke ztenčování izolačních vrstev. Dochází tudíž k vyšším únikům proudu. Tento problém dovedl společnost Samsung k využití materiálu a technologie HKMG jako náhrady izolátoru. Zmenšování rozměrů ale zvyšuje přenosové rychlosti a snižuje energetické nároky. V případě nového modulu má být spotřeba mezigeneračně nižší o 13 procent. Tuto vlastnost ocení zejména provozovatelé datových center, v nichž se kumulují paměti v obrovských kapacitách.
Pro výrobu nového modulu využívá společnost technologii TSV – Through-Silicon. Poprvé ji nasadila pro produkci pamětí DDR4 v roce 2014. Tehdy jihokorejský výrobce uvedl na trh serverové moduly o kapacitě 256 GB. Novinka sestává z osmi vrstev paměťových čipů o kapacitě 16 Gb.
Společnost Samsung aktuálně distribuuje svým zákazníkům a partnerům vzorky různých variant pamětí DDR5. Ti je testují a certifikují pro nasazení ve svých systémech.
