Výrobu 12gigabitových paměťových čipů standardu LPDDR5 zahájila společnost Samsung. V mezigeneračním srovnání s LPDDR4X nabízejí zhruba o třetinu vyšší přenosové rychlosti a nižší energetické nároky. Osm 10nanometrových čipů 12 Gb LPDDR5 hodlá firma zkombinovat do modulu o kapacitě 12 GB.
Nové paměťové čipy zamíří primárně do připravovaných prémiových mobilních zařízení. V nich umožní využít funkcionality spojené se sítěmi 5G a aplikacemi umělé inteligence. Novinka nabízí přenosovou rychlost až 5500 Mb/s na čip. Standard LPDDR4X zvládá nejvýše 4266 Mb/s. Mezigenerační posun nastal také v oblasti energetické náročnosti. Ta díky aplikaci nových úsporných funkcí a aplikaci 10nanometrového výrobního procesu druhé generace poklesla o téměř 30 procent.
V únoru letošního roku zahájila společnost Samsung výrobu paměťových modulů standardu LPDDR4X s kapacitou 12 GB. Ty nyní figurují v prémiových mobilních zařízeních. Aktuálně ovšem připravuje spuštění produkce jejich nástupce v nejnovějším standardu a se stejně velkým úložným prostorem.
V příštím roce chce společnost Samsung dokončit vývoj 16gigabitových modulů LPDDR5.
Evoluce mobilních paměťových čipů firmy Samsung
|
Datum |
Kapacita |
Specifikace |
|
07.01.19 |
12GB |
10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
|
06.01.19 |
6GB |
10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s |
|
Feb. 2019 |
12GB |
10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
|
04.01.18 |
8GB (development) |
10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
|
Sept. 2016 |
8GB |
10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
|
Aug. 2015 |
6GB |
20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
|
Dec. 2014 |
4GB |
20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
|
Sept. 2014 |
3GB |
20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
|
Nov. 2013 |
3GB |
20nm-class 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
|
07.01.13 |
3GB |
20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
|
04.01.13 |
2GB |
20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
|
Aug. 2012 |
2GB |
30nm-class 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
|
2011 |
1/2GB |
30nm-class 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
|
2010 |
512MB |
40nm-class 2Gb MDDR, 400Mb/s |
|
2009 |
256MB |
50nm-class 1Gb MDDR, 400Mb/s |
