Čipy ST-MRAM zvyšují kapacitu na 256 až 1000 Mb



Vzorky třetí generace svých magnetorezistivních pamětí MRAM začala dodávat vybraným zákazníkům společnost Everspin. Podle jejího vyjádření novinka nabízí dosud nejvyšší hustotu záznamu v subsegmentu, konkrétně 256 Mb. Moduly lze připojit k rozhraním pro paměti DDR3 a DDR4.

Své nevolatilní paměti MRAM označuje firma Everspin od roku 2012 termínem Spin-Torque MRAM, ve zkratce ST-MRAM. Považuje je za reálnou náhradu typu DRAM v serverech a úložných polích, především ale v jejich vyrovnávacích pamětích. Samotná technologie magnetickorezistivních pamětí je vyvíjena od 90. let minulého století. Podobně jako jiné technologie nabízí typ MRAM schopnost udržet obsah čipu i po přerušení dodávky elektrického proudu do systému.

Před čtyřmi lety firma Everspin zahájila komerční prodej svých čipů ST-MRAM. Vykazovaly zhruba 500krát vyšší přenosové rychlosti než NAND flash, ale dokázaly uchovat pouze 64megabitů dat na čip. I přesto firma dodala do datových center na 60 milionů modulů v různých variantách.

Za označením spin-torque se skrývá metoda změny bitové hodnoty buňky s pomocí malého napětí. Oproti běžným modulům MRAM, které natáčí spin procházejících elektronů zleva doprava, ST-MRAM jej směrují nahoru a dolů. Inovativní přístup umožňuje výrazně zvýšit záznamovou hustotu paměti a současně snížit energetickou náročnost. Podle výrobce jde ve srovnání s běžnými typy MRAM o 40 až 50procentní úsporu.

Čipy ST-MRAM nabízejí údajně desettisíckrát rychlejší přenosy dat než současné moduly NAND flash. I díky této schopnosti a čerstvě navýšené hustotě záznamu, která komplikovala jejich nasazení v předchozích letech, mají ambici nahradit čipy DRAM, případně SRAM ve vyrovnávacích pamětích. Rychlost zápisu ST-MRAM je údajně srovnatelná s dnešními typy DRAM.

V současnosti dodávané vzorky mají kapacitu 256 Mb na čip. Ještě letos chce společnost Everspin nabídnout zákazníkům produkci s výchozí úložnou hodnotou jeden gigabit. Ta má využívat proprietární technologii kolmého magnetického tunelového přechodu (Perpendicular Magnetic Tunnel Junction).

 

 


(15. 4. 2016 | Lukas_Kriz)

Facebook Twitter
Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<

Tip - Konference: DATOVÁ CENTRA PRO BUSINESS 2019 - 19.9.2019!
Hledáme nové kolegy pro realizaci zajímavých projektů
v oblasti IT

NOVINKA: Pozoruhodné IT produkty 2019 podruhé
Ani tentokrát si nenechte ujít produkty, které vám mohou pomoci ve vaší práci v IT.

Pozoruhodné IT produkty pro rok 2019
Náš první letošní seznam zajímavých produktů, které byste určitě neměli minout






Články čtenářů

Titulky vložené do videa a další vid...


Dnes tu má tip pro všechny, kdo nejen pracují, ale také se občas baví :). Co dělat, když potřebujete video s vloženými titulky a máte jen video, kde titulky vložené ...

Problém: Pomalá Windows 10 a jak je ...


Pomalá Windows 10, to je problém, se kterým se potkává řada uživatelů. Často přitom nastane najednou, doslova ze dne na den. Windows se pomalu spouštějí, aplikace se...

Komentáře čtenářů

TBW
Dobrý den. Koukám že váš článek je z roku 2016. Dnes je rok 2019 a situace může být odlišná. Můj dotaz z...>>
Podnikání na youtube
Zdravím, měl bych pár dotazů týkajících se podnikání na youtube. Četl jsem na http://techhity.cz/media/j...>>
Zdá se mi to nebezpečné
Přijde mi to už docela nebezpečné, že půjde platit i prostřednictvím televize. Ale pokrok nezastavíme. C...>>


©2011-2019 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
Používáme účetní program Money S3
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | pg(4052)