Čipy ST-MRAM zvyšují kapacitu na 256 až 1000 Mb



Vzorky třetí generace svých magnetorezistivních pamětí MRAM začala dodávat vybraným zákazníkům společnost Everspin. Podle jejího vyjádření novinka nabízí dosud nejvyšší hustotu záznamu v subsegmentu, konkrétně 256 Mb. Moduly lze připojit k rozhraním pro paměti DDR3 a DDR4.

Své nevolatilní paměti MRAM označuje firma Everspin od roku 2012 termínem Spin-Torque MRAM, ve zkratce ST-MRAM. Považuje je za reálnou náhradu typu DRAM v serverech a úložných polích, především ale v jejich vyrovnávacích pamětích. Samotná technologie magnetickorezistivních pamětí je vyvíjena od 90. let minulého století. Podobně jako jiné technologie nabízí typ MRAM schopnost udržet obsah čipu i po přerušení dodávky elektrického proudu do systému.

Před čtyřmi lety firma Everspin zahájila komerční prodej svých čipů ST-MRAM. Vykazovaly zhruba 500krát vyšší přenosové rychlosti než NAND flash, ale dokázaly uchovat pouze 64megabitů dat na čip. I přesto firma dodala do datových center na 60 milionů modulů v různých variantách.

Za označením spin-torque se skrývá metoda změny bitové hodnoty buňky s pomocí malého napětí. Oproti běžným modulům MRAM, které natáčí spin procházejících elektronů zleva doprava, ST-MRAM jej směrují nahoru a dolů. Inovativní přístup umožňuje výrazně zvýšit záznamovou hustotu paměti a současně snížit energetickou náročnost. Podle výrobce jde ve srovnání s běžnými typy MRAM o 40 až 50procentní úsporu.

Čipy ST-MRAM nabízejí údajně desettisíckrát rychlejší přenosy dat než současné moduly NAND flash. I díky této schopnosti a čerstvě navýšené hustotě záznamu, která komplikovala jejich nasazení v předchozích letech, mají ambici nahradit čipy DRAM, případně SRAM ve vyrovnávacích pamětích. Rychlost zápisu ST-MRAM je údajně srovnatelná s dnešními typy DRAM.

V současnosti dodávané vzorky mají kapacitu 256 Mb na čip. Ještě letos chce společnost Everspin nabídnout zákazníkům produkci s výchozí úložnou hodnotou jeden gigabit. Ta má využívat proprietární technologii kolmého magnetického tunelového přechodu (Perpendicular Magnetic Tunnel Junction).

 

 


(15. 4. 2016 | Lukas_Kriz)

Facebook Twitter
Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<

NOVINKA: Pozoruhodné IT produkty 2019 podruhé
Ani tentokrát si nenechte ujít produkty, které vám mohou pomoci ve vaší práci v IT.

Pozoruhodné IT produkty pro rok 2019
Náš první letošní seznam zajímavých produktů, které byste určitě neměli minout






Články čtenářů

Pomalý notebook HP s Windows 10 - a ...


Jestli máte trable s pomalým počítačem od HP (nebo i od jiné velké značky), tak jste na tom stejně, jako jsem ještě před pár hodinami byl já. Zkoušel jsem řadu osvěd...

Slow HP Windows 10 notebook - and wh...


If you have trouble with a slow computer from HP (or even another big brand), you've the same problem I had a few hours ago. I tried a number of proven recipes, but ...

Komentáře čtenářů

TBW
Dobrý den. Koukám že váš článek je z roku 2016. Dnes je rok 2019 a situace může být odlišná. Můj dotaz z...>>
Podnikání na youtube
Zdravím, měl bych pár dotazů týkajících se podnikání na youtube. Četl jsem na http://techhity.cz/media/j...>>
Zdá se mi to nebezpečné
Přijde mi to už docela nebezpečné, že půjde platit i prostřednictvím televize. Ale pokrok nezastavíme. C...>>


©2011-2019 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
Používáme účetní program Money S3
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | pg(4052)