Čipy ST-MRAM zvyšují kapacitu na 256 až 1000 Mb



Vzorky třetí generace svých magnetorezistivních pamětí MRAM začala dodávat vybraným zákazníkům společnost Everspin. Podle jejího vyjádření novinka nabízí dosud nejvyšší hustotu záznamu v subsegmentu, konkrétně 256 Mb. Moduly lze připojit k rozhraním pro paměti DDR3 a DDR4.

Své nevolatilní paměti MRAM označuje firma Everspin od roku 2012 termínem Spin-Torque MRAM, ve zkratce ST-MRAM. Považuje je za reálnou náhradu typu DRAM v serverech a úložných polích, především ale v jejich vyrovnávacích pamětích. Samotná technologie magnetickorezistivních pamětí je vyvíjena od 90. let minulého století. Podobně jako jiné technologie nabízí typ MRAM schopnost udržet obsah čipu i po přerušení dodávky elektrického proudu do systému.

Před čtyřmi lety firma Everspin zahájila komerční prodej svých čipů ST-MRAM. Vykazovaly zhruba 500krát vyšší přenosové rychlosti než NAND flash, ale dokázaly uchovat pouze 64megabitů dat na čip. I přesto firma dodala do datových center na 60 milionů modulů v různých variantách.

Za označením spin-torque se skrývá metoda změny bitové hodnoty buňky s pomocí malého napětí. Oproti běžným modulům MRAM, které natáčí spin procházejících elektronů zleva doprava, ST-MRAM jej směrují nahoru a dolů. Inovativní přístup umožňuje výrazně zvýšit záznamovou hustotu paměti a současně snížit energetickou náročnost. Podle výrobce jde ve srovnání s běžnými typy MRAM o 40 až 50procentní úsporu.

Čipy ST-MRAM nabízejí údajně desettisíckrát rychlejší přenosy dat než současné moduly NAND flash. I díky této schopnosti a čerstvě navýšené hustotě záznamu, která komplikovala jejich nasazení v předchozích letech, mají ambici nahradit čipy DRAM, případně SRAM ve vyrovnávacích pamětích. Rychlost zápisu ST-MRAM je údajně srovnatelná s dnešními typy DRAM.

V současnosti dodávané vzorky mají kapacitu 256 Mb na čip. Ještě letos chce společnost Everspin nabídnout zákazníkům produkci s výchozí úložnou hodnotou jeden gigabit. Ta má využívat proprietární technologii kolmého magnetického tunelového přechodu (Perpendicular Magnetic Tunnel Junction).

 

 


(15. 4. 2016 | Lukas_Kriz)


Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<

Tip - Konference: Mobilní řešení pro byznys - 21.9.2017!


Otázky a odpovědi z IT: Diskusní portál Bizio.cz
Pozoruhodné IT produkty pro rok 2017 - Nové
Věříme, že v tomto přehledu pozoruhodných produktů najdete ty, které vám pomohou ve vaší práci v IT.

Pozoruhodné IT produkty pro rok 2017
Věříme, že v tomto přehledu pozoruhodných produktů najdete ty, které vám pomohou ve vaší práci v IT.




Anketa


©2011-2017 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
Používáme účetní program Money S3
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | pg(4052)