O vývoji vlastní flashové paměti s nízkou latencí, vyšší odolností a výkonem informovali na setkání Storage Field Day zástupci společnosti Western Digital. Připravovaná technologie by mohla vstoupit mezi konvenční moduly NAND a DRAM. Podobně situují své specifické typy pamětí také konkurenti, konkrétně firmy Intel (Optane) nebo Samsung (Z-NAND).
Společnost Western Digital vyvíjí vlastní paměť s nízkou latencí, kterou lze pracovně označit termínem LLF – Low Latency Flash NAND. Podobně jako v případě konkurenčních řešení by měla najít uplatnění jako mezistupeň mezi operační pamětí DRAM a disky SSD. Oproti prvním nabídne uchování dat i v případě výpadku nebo odpojení elektrického napájení, ve srovnání s druhými zase vyšší rychlost. Právě latence či reakční doba se má snížit na úroveň mikrosekund. Inženýři firmy Western Digital zrychlí čipy NAND prostřednictvím nasazení architektury s jedním nebo dvěma bity na paměťovou buňku, tj. SLC a MLC.
Dosažené výkonnostní parametry se promítnou také do ceny. Podle současných očekávání budou paměti WD LLF c přepočtu na jeden gigabajt desetkrát levnější než moduly DRAM a dvacetkrát dražší než 3D NAND. Také v tomto ohledu se velmi podobají konkurenčním produktům Optane nebo Z-NAND.
O připravované novince společnost Western Digital nezveřejnila bližší podrobnosti. Teoreticky mohou její paměti LLF vycházet či sdílet technologický základ s čipy XL-Flash, které vloni s velmi podobnými parametry a výhledy na uplatnění představila firma Toshiba, vývojový a produkční partner WD pro oblast paměťových technologií. Oba podniky hodlají své rychlejší čipy NAND nasadit primárně v datových centrech a výkonných pracovních stanicích.
V dlouhodobém horizontu společnost Western Digital spolupracuje s firmou HP na vývoji technologie memristor a interně pracuje také na technologii ReRAM. V obou případech by měly vzniknout moduly kategorie SCM neboli Storage Class Memory. Ty spojují vlastnosti DRAM a NAND.
