O nás     Inzerce     KontaktSpolehlivé informace o IT již od roku 2011
Hledat
Nepřehlédněte: Pozoruhodné IT produkty 2020
Správa dokumentů
Digitální transformace
Informační systémy
Hlavní rubriky: Informační systémy, Mobilní technologie, Datová centra, Sítě, IT bezpečnost, Software, Hardware, Zkušenosti a názory, Speciály

Pozoruhodné IT produkty 2020
E-knihy o IT zdarma
Odborné IT konference BusinessIT

Samsung nasadí EUV do výroby paměťových modulů

Jako první výrobce počítačových pamětí využije společnost Samsung Electronics technologii EUV pro masovou produkci modulů DRAM. V případě procesorů ji již vloni nasadila tchajwanská firma TSMC. V letošním roce zavede EUV do výroby paměťových modulů DDR4, příští rok do nastupující generace DDR5.

Společnost Samsung Electronics oznámila, že svým globálním partnerům dodala jeden milion 10nanometrových paměťových modulů DDR4, které vyrobila s pomocí technologie EUV – Extreme UltraViolet. Jde, resp. šlo o její první velkosériové nasazení v tomto segmentu.


Technologie EUV zjednodušuje a zpřesňuje výrobní proces. Společnost Samsung Electronics ji hodlá plně využít při produkci příštích generací pamětí DRAM. Nasadí ji mimo jiné do čtvrté generace 10nanometrového procesu, jenž označuje zkratkou D1a. Právě ten bude zajišťovat připravovanou produkci 16gigabitových paměťových modulů DDR5 a LPDDR5. Jejich velkoobjemovou výrobu jihokorejská firma zahájí v příštím roce. Moduly LPDDR5 (12 Gb) vyrábí starší technologií D1y od poloviny minulého roku.

Ve druhé polovině letošního roku zahájí společnost Samsung výrobu pamětí DRAM s pomocí technologie EUV také ve druhé produkční lokalitě v jihokorejském městě Peyongtaek.

 

Milníky výroby pamětí DRAM ve společnosti Samsung

Date

Samsung DRAM Milestones

2021 (TBD)

4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production

March 2020

4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development

September 2019

3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production

June 2019

2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production

March 2019

3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development

November 2017

2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production

September 2016

1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production

February 2016

1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production

October 2015

20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production

December 2014

20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production

December 2014

20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production

October 2014

20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production

February 2014

20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production

February 2014

20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production

November 2013

20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production

November 2012

20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production

September 2011

20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production

July 2010

30nm-class 2Gb DDR3 mass production

February 2010

40nm-class 4Gb DDR3 mass production

July 2009

40nm-class 2Gb DDR3 mass production


(26. 3. 2020 | Lukas_Kriz)

Facebook Twitter
Komentáře, názory a rady

Zatím sem nikdo nevložil žádný komentář. Buďte první...

>>> Číst a vkládat komentáře <<<
©2011-2020 BusinessIT.cz, ISSN 1805-0522 | Názvy použité v textech mohou být ochrannými známkami příslušných vlastníků.
Provozovatel: Bispiral, s.r.o., kontakt: BusinessIT(at)Bispiral.com | Inzerce: Best Online Media, s.r.o., zuzana@online-media.cz
O vydavateli | Pravidla webu BusinessIT.cz a ochrana soukromí | pg(7723)