Jako první výrobce počítačových pamětí využije společnost Samsung Electronics technologii EUV pro masovou produkci modulů DRAM. V případě procesorů ji již vloni nasadila tchajwanská firma TSMC. V letošním roce zavede EUV do výroby paměťových modulů DDR4, příští rok do nastupující generace DDR5.
Společnost Samsung Electronics oznámila, že svým globálním partnerům dodala jeden milion 10nanometrových paměťových modulů DDR4, které vyrobila s pomocí technologie EUV – Extreme UltraViolet. Jde, resp. šlo o její první velkosériové nasazení v tomto segmentu.
Technologie EUV zjednodušuje a zpřesňuje výrobní proces. Společnost Samsung Electronics ji hodlá plně využít při produkci příštích generací pamětí DRAM. Nasadí ji mimo jiné do čtvrté generace 10nanometrového procesu, jenž označuje zkratkou D1a. Právě ten bude zajišťovat připravovanou produkci 16gigabitových paměťových modulů DDR5 a LPDDR5. Jejich velkoobjemovou výrobu jihokorejská firma zahájí v příštím roce. Moduly LPDDR5 (12 Gb) vyrábí starší technologií D1y od poloviny minulého roku.
Ve druhé polovině letošního roku zahájí společnost Samsung výrobu pamětí DRAM s pomocí technologie EUV také ve druhé produkční lokalitě v jihokorejském městě Peyongtaek.
Milníky výroby pamětí DRAM ve společnosti Samsung
|
Date |
Samsung DRAM Milestones |
|
2021 (TBD) |
4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based 16Gb DDR5/LPDDR5 mass production |
|
March 2020 |
4th-gen 10nm-class (1a) EUV-based DRAM development |
|
September 2019 |
3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 mass production |
|
June 2019 |
2nd-gen 10nm-class (1y) 12Gb LPDDR5 mass production |
|
March 2019 |
3rd-gen 10nm-class (1z) 8Gb DDR4 development |
|
November 2017 |
2nd-gen 10nm-class (1y) 8Gb DDR4 mass production |
|
September 2016 |
1st-gen 10nm-class (1x) 16Gb LPDDR4/4X mass production |
|
February 2016 |
1st-gen 10nm-class (1x) 8Gb DDR4 mass production |
|
October 2015 |
20nm (2z) 12Gb LPDDR4 mass production |
|
December 2014 |
20nm (2z) 8Gb GDDR5 mass production |
|
December 2014 |
20nm (2z) 8Gb LPDDR4 mass production |
|
October 2014 |
20nm (2z) 8Gb DDR4 mass production |
|
February 2014 |
20nm (2z) 4Gb DDR3 mass production |
|
February 2014 |
20nm-class (2y) 8Gb LPDDR4 mass production |
|
November 2013 |
20nm-class (2y) 6Gb LPDDR3 mass production |
|
November 2012 |
20nm-class (2y) 4Gb DDR3 mass production |
|
September 2011 |
20nm-class (2x) 2Gb DDR3 mass production |
|
July 2010 |
30nm-class 2Gb DDR3 mass production |
|
February 2010 |
40nm-class 4Gb DDR3 mass production |
|
July 2009 |
40nm-class 2Gb DDR3 mass production |
